Shin-Etsu Chemical développe un substrat de 300 mm GaN pour améliorer la performance des semi-conducteurs. Shin-Etsu Chemical to develop 300-mm GaN substrate for enhanced semiconductor performance.

Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. est conçu pour développer un substrat QSTTM conçu pour des applications de nitrite de gallium (GaN) de 300 mm. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is set to develop a QST™ substrate designed for 300-mm gallium nitride (GaN) applications. Cette innovation vise à améliorer la performance et l'efficacité des dispositifs à semi-conducteurs, reflétant l'engagement de l'entreprise à faire progresser la technologie dans le secteur des semi-conducteurs. This innovation aims to enhance the performance and efficiency of semiconductor devices, reflecting the company's commitment to advancing technology in the semiconductor sector.