STMicroelectronics lance la technologie SiC MOSFET 4e génération pour les onduleurs de traction EV, ciblant l'efficacité énergétique, la densité et la robustesse. STMicroelectronics launches 4th-gen SiC MOSFET tech for EV traction inverters, targeting power efficiency, density, and robustness.

STMicroelectronics a lancé sa technologie MOSFET de quatrième génération de carbure de silicium (SiC) visant à améliorer l'efficacité énergétique, la densité et la robustesse des onduleurs de traction des véhicules électriques (EV). STMicroelectronics has launched its fourth-generation silicon carbide (SiC) MOSFET technology, aimed at improving power efficiency, density, and robustness for electric vehicle (EV) traction inverters. La classe 750V est qualifiée, avec 1200V attendu d'ici le 1er trimestre 2025. The 750V class is qualified, with 1200V expected by Q1 2025. La technologie prend également en charge les applications industrielles de haute puissance, améliorant les performances et réduisant le poids des véhicules électriques. The technology also supports high-power industrial applications, enhancing performance and reducing weight in EVs. ST prévoit d'autres innovations jusqu'en 2027 pour favoriser l'adoption massive de la mobilité et de la durabilité électriques. ST plans further innovations through 2027 to drive mass adoption of electric mobility and sustainability.

September 24, 2024

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