2024 IEDM : Kioxia présente OCTRAM, Crosspoint RAM de grande capacité et mémoire flash 3D avancée. 2024 IEDM: Kioxia showcases OCTRAM, high-capacity Crosspoint MRAM, and advanced 3D flash memory.

Kioxia Corporation présentera ses dernières technologies de mémoire de semi-conducteurs à l'IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 à San Francisco. Kioxia Corporation will present its latest semiconductor memory technologies at the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 in San Francisco. Parmi les innovations clés, mentionnons le DRAM à canal oxydé-semiconducteur (OCTRAM) pour la réduction de la consommation d'énergie, le RRAM Crosspoint haute capacité pour le traitement amélioré de l'IA, et la mémoire flash 3D avancée pour une meilleure fiabilité et performance. Key innovations include Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) for reduced power consumption, high-capacity Crosspoint MRAM for enhanced AI processing, and advanced 3D flash memory for improved reliability and performance. Kioxia vise à stimuler les avancées dans le stockage de données pour soutenir la transformation numérique et l'IA. Kioxia aims to drive advancements in data storage to support digital transformation and AI.

October 21, 2024

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