ROHM et TSMC partenaires pour développer des appareils de puissance GaN pour véhicules électriques, en tirant parti de la fabrication avancée. ROHM and TSMC partner to develop GaN power devices for electric vehicles, leveraging advanced manufacturing.

ROHM et TSMC ont formé un partenariat pour développer des dispositifs de puissance au nitrure de gallium (GaN) pour les véhicules électriques. ROHM and TSMC have formed a partnership to develop gallium nitride (GaN) power devices for electric vehicles. GaN offre de meilleures propriétés haute tension et haute fréquence que le silicium, qui est la clé pour les composants EV comme les chargeurs et les onduleurs. GaN offers better high-voltage and high-frequency properties than silicon, which is key for EV components like chargers and inverters. Cette collaboration associe la technologie de l'appareil de ROHM au processus de fabrication de GaN de TSMC, visant à stimuler l'adoption de GaN dans le secteur automobile. This collaboration combines ROHM's device technology with TSMC's GaN manufacturing process, aiming to boost GaN's adoption in the automotive sector.