Les chercheurs en Chine dévoilent PoX, une technologie de mémoire flash 10 000 fois plus rapide que les options actuelles. Researchers in China unveil PoX, a flash memory tech 10,000 times faster than current options.

Des chercheurs de l'Université Fudan en Chine ont créé une nouvelle technologie de mémoire flash appelée PoX, qui peut stocker des données à une vitesse sans précédent d'un bit par 400 picosecondes. Researchers at Fudan University in China have created a new flash memory technology called PoX, which can store data at an unprecedented speed of one bit per 400 picoseconds. Cette mémoire non volatile, capable de conserver des données sans puissance, est environ 10 000 fois plus rapide que la mémoire flash actuelle et surpasse de façon significative les types de mémoire volatile traditionnels comme SRAM et DRAM. This non-volatile memory, capable of retaining data without power, is about 10,000 times faster than current flash memory and significantly outperforms traditional volatile memory types like SRAM and DRAM. L'innovation pourrait révolutionner les solutions de stockage dans les systèmes d'IA et l'électronique grand public, offrant un fonctionnement plus rapide et une consommation d'énergie plus faible. The innovation could potentially revolutionize storage solutions in AI systems and consumer electronics, offering faster operation and lower power consumption.