Toshiba lance des MOSFETs SiC 650V compacts et efficaces, stimulant la densité de puissance pour les usages industriels. Toshiba launches compact, efficient 650V SiC MOSFETs, boosting power density for industrial uses.

Toshiba a introduit quatre nouveaux MOSFET 650V en carbure de silicium (SiC) dans un paquet compact DFN8x8, réduisant ainsi le volume de l'appareil de plus de 90% par rapport aux modèles plus anciens. Toshiba has introduced four new 650V silicon carbide (SiC) MOSFETs in a compact DFN8x8 package, reducing device volume by over 90% compared to older models. Ces MOSFET, adaptés à des usages industriels comme les alimentations électriques et les générateurs photovoltaïques, réduisent considérablement les pertes de commutation et améliorent la densité de puissance. These MOSFETs, suitable for industrial uses like power supplies and photovoltaic generators, significantly cut switching losses and improve power density. Toshiba vise à améliorer l'efficacité et la capacité de l'équipement grâce à ces progrès. Toshiba aims to enhance equipment efficiency and power capacity with these advancements.