ROHM et onsemi lancent de nouveaux MOSFET SiC pour une efficacité accrue dans les systèmes électriques, solaires et énergétiques. ROHM and onsemi launch new SiC MOSFETs for higher efficiency in EVs, solar, and energy systems.

ROHM a commencé la production en série de ses MOSFET en carbure de silicium SCT40xxDLL dans des paquets TOLL, offrant 39% de meilleures performances thermiques que les paquets standard TO-263-7L, avec une tension nominale jusqu'à 750V et des résistances de 13m-65m-. ROHM has started mass production of its SCT40xxDLL silicon carbide MOSFETs in TOLL packages, offering 39% better thermal performance than standard TO-263-7L packages, with up to 750V voltage rating and on-resistances from 13mΩ to 65mΩ. Conçus pour des applications compactes et de haute puissance comme les serveurs AI, le stockage d'énergie et les onduleurs solaires, les appareils disposent d'une empreinte de 26 % plus petite et d'une hauteur de 2,3 mm. Designed for compact, high-power applications like AI servers, energy storage, and solar inverters, the devices feature a 26% smaller footprint and 2.3mm height. Disponible par les distributeurs à partir de septembre 2025, les modèles de simulation sont également fournis. Available through distributors starting September 2025, simulation models are also provided. Pendant ce temps, onsemi a lancé 650V et 950V ElieSiC MOSFETs dans des emballages T2Pak haut-cool, permettant un couplage direct de dissipateurs de chaleur pour améliorer le refroidissement, réduire les températures et augmenter la densité de puissance dans les véhicules électriques, les systèmes solaires et de stockage d'énergie. Meanwhile, onsemi launched 650V and 950V ElieSiC MOSFETs in T2Pak top-cool packages, enabling direct heatsink coupling for improved cooling, reduced temperatures, and higher power density in electric vehicles, solar, and energy storage systems.