Les scientifiques chinois ont créé une puce ultra-efficace utilisant un matériau ferroélectrique de 1 nm, permettant un traitement rapide et de faible puissance de l'IA sur les appareils. Chinese scientists created a ultra-efficient chip using a 1-nm ferroelectric material, enabling fast, low-power AI processing on devices.

Les scientifiques chinois de l'Université de Pékin ont développé une puce informatique en mémoire de haute performance utilisant un nouveau matériau ferroélectrique, créant des films ultrafins et uniformes d'une épaisseur de 1 nanomètre qui maintiennent de fortes propriétés mémoire. Chinese scientists at Peking University have developed a high-performance computing-in-memory chip using a novel ferroelectric material, creating ultrathin, uniform films just 1 nanometer thick that maintain strong memory properties. L'appareil fonctionne à 0,8 volts, écrit des données en 20 nanosecondes et survit à plus de 1,5 billion de cycles de réécriture, dépassant ainsi les normes actuelles. The device operates at 0.8 volts, writes data in 20 nanoseconds, and survives over 1.5 trillion rewrite cycles—exceeding current standards. En intégrant la mémoire et le traitement dans une unité, il réduit l'utilisation d'énergie et accélère le calcul, avec compatibilité pour la fabrication de semi-conducteurs existante. By integrating memory and processing in one unit, it reduces energy use and speeds up computation, with compatibility for existing semiconductor manufacturing. Cette percée, publiée dans Science, pourrait permettre un traitement puissant de l'IA sur des appareils de la vie quotidienne comme les smartphones et les appareils, réduisant ainsi la dépendance à l'informatique en nuage. The breakthrough, published in Science, could enable powerful AI processing on everyday devices like smartphones and appliances, cutting reliance on cloud computing.