Para Light lance de nouveaux MOSFET en SiC avec une stabilité thermique et un rendement améliorés pour les centres de données et l'utilisation industrielle. Para Light launches new SiC MOSFETs with improved thermal stability and efficiency for data centers and industrial use.

Para Light a lancé ses MOSFET ThermaFlat SiC, qui présentent des performances thermiques exceptionnelles avec une résistance stable de -25 ° C à + 125 ° C. Para Light has launched its ThermaFlat SiC MOSFETs, claiming breakthrough thermal performance with stable on-resistance from -25°C to +125°C. Les modèles 650V et 1200V présentent une augmentation minimale de la résistance, réduisant les besoins en refroidissement et améliorant l'efficacité. The 650V and 1200V models show minimal resistance increase, reducing cooling needs and boosting efficiency. En utilisant une broche source Kelvin dans un paquet TO-247-4, ils ont réduit les pertes de commutation jusqu'à 35%. Using a Kelvin source pin in a TO-247-4 package, they cut switching losses by up to 35%. Ces nouveaux appareils, destinés aux alimentations des centres de données, aux entraînements industriels et aux systèmes UPS, marquent l'entrée de Para Light sur le marché des MOSFET en SiC. Ils visent à établir une nouvelle norme pour la fiabilité et l'efficacité de l'électronique de puissance. Targeted at data center power supplies, industrial drives, and UPS systems, the new devices mark Para Light’s entry into the SiC MOSFET market, aiming to set a new standard for power electronics reliability and efficiency.