Samsung et AMD développent conjointement une mémoire IA avancée, avec HBM4 en production de masse et HBM 4E ciblant la plate-forme AI de NVIDIA. Samsung and AMD are co-developing advanced AI memory, with HBM4 in mass production and HBM4E targeting NVIDIA’s AI platform.

Samsung et AMD ont élargi leur partenariat pour développer ensemble la mémoire IA de nouvelle génération, y compris HBM4 pour le GPU MI455X d'AMD et DDR5 avancé pour les CPU EPYC. Le produit est désormais en production massive avec des vitesses allant jusqu'à 13 Gbps et une bande passante de 3,3 To/s. Samsung and AMD have expanded their partnership to co-develop next-generation AI memory, including HBM4 for AMD’s MI455X GPU and advanced DDR5 for EPYC CPUs, with HBM4 now in mass production offering up to 13 Gbps speeds and 3.3 TB/s bandwidth. Samsung a également dévoilé HBM4E, qui vise une bande passante de 16 Gbps et 4,0 TB/s, conçu pour la plate-forme IA Vera Rubin de NVIDIA. Samsung also unveiled HBM4E targeting 16 Gbps and 4.0 TB/s bandwidth, designed for NVIDIA’s Vera Rubin AI platform. Les entreprises prévoient d'explorer des collaborations de fonderie et d'optimiser la pile informatique complète pour les charges de travail liées à l'IA. The companies plan to explore foundry collaborations and optimize the full computing stack for AI workloads. Samsung a présenté de nouvelles technologies de mémoire et de stockage, notamment LPDDR6 DRAM et PM9E3 / PM9 E1 NAND, visant à l'IA sur appareil et au supercalcul personnel d'IA, tout en faisant progresser la fabrication grâce aux jumeaux numériques pilotés par l'AI. Samsung showcased new memory and storage technologies, including LPDDR6 DRAM and PM9E3/PM9E1 NAND, aimed at on-device AI and personal AI supercomputing, while advancing manufacturing through AI-driven digital twins.